Вариант 03 |
850,00 ₽
Просмотров: 843
|
Тип работы: | Контрольная |
Название предмета: | Электротехника и электроника |
Тема/вариант: | Вариант 03 |
Объем работы: | 15 |
ВУЗ: | СибГУТИ |
Дата выполнения: | 2017-10-25 |
Размер файла, тип файла: | 333.5 Kb, DOC |
Прикрепленные файлы: |
Курс. Лекции. Методические указания к выполнению домашнего задания на тему "Параметры полевого и биполярного транзисторов". Вопросы к экзаме (1868 Kb)
|
Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора (рисунок 1.1) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, μ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи указаны в таблице 1.1.
Таблица 1.1 – Исходные данные из таблицы П.1.1 приложения 1 к задаче 1
Таблица 3.1 – Исходные данные к задаче 3
Задача 4
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту (таблица 4.1). Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Таблица 4.1 – Исходные данные к задаче 4
Список используемой литературы
1. Игнатов А.Н. и др. Основы электроники: Учебное пособие/СибГУТИ. Новосибирск, 2005 г.
2. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н.Д. - М.: Радио и связь, 1998.
3. Савиных В.Л Физические основы электроники. Конспект лекций. Электронная версия. 2006 г.
По выходным характеристикам полевого транзистора (рисунок 1.1) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, μ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи указаны в таблице 1.1.
Таблица 1.1 – Исходные данные из таблицы П.1.1 приложения 1 к задаче 1
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного (рисунки 2.1 и 2.2) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берем из таблицы 2.1.
Таблица 2.1 – Исходные данные к задаче 2
Задача 3
Таблица 3.1 – Исходные данные к задаче 3
Рисунок 3.1 – Принципиальная схема логического элемента
Задача 4
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту (таблица 4.1). Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Таблица 4.1 – Исходные данные к задаче 4
Рисунок 4.1 - Схема устройства на основе операционного усилителя
Список используемой литературы
1. Игнатов А.Н. и др. Основы электроники: Учебное пособие/СибГУТИ. Новосибирск, 2005 г.
2. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н.Д. - М.: Радио и связь, 1998.
3. Савиных В.Л Физические основы электроники. Конспект лекций. Электронная версия. 2006 г.
Сообщить другу
11589