↑ вверх

Помощь дистанционщикам!
ДО СибГУТИ (www.do.sibsutis.ru),
ДО СибАГС (www.sapanet.ru),
ДО НГУЭиУ (sdo.nsuem.ru),
ДО СибУПК (sdo.sibupk.su) и др ВУЗы

Корзина пуста!
Обратная связь




Шифр 13 Другой автор

80000
      
Просмотров: 33
Тип работы: Курсовая
Название предмета: Разработка интегрального устройства
Тема/вариант: Шифр 13 Другой автор
Объем работы: 23
ВУЗ: СибГУТИ
Дата выполнения: 2019-11-14
Размер файла, тип файла: 560.71 Kb, DOCX
Методические указания: Методические указания к курсовой работе (5777 Kb)
Автор: Игнатов А.Н.
Год издания: 2006

Содержание                                         
Техническое задание   
Введение   
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства   
2. Расчет элементов принципиальной схемы   
2.1 Расчет выходного каскада VT2   
2.2 Расчет каскада VT1   
3. Разработка интегральной микросхемы   
3.1 Расчет амплитудно-частотной характеристики   
3.2 Выбор пленочных элементов   
3.3 Выбор навесных элементов   
3.4 Составление топологии   
Заключение   
Список литературы   

Техническое задание
1. Напряжение питания UПИТ = +12 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению КU = 5.
3. Входное сопротивление RВХ = 0,68 МОм.
4. Сопротивление нагрузки RН = 2 кОм. 
5. Номинальное напряжение UНОМ = 2 В.
6. Нижняя рабочая частота FН = 50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота FВ = 10 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте МН = 1 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте МВ = 1 дБ.
10. Тип входа – несимметричный
11. Тип выхода – несимметричный

Введение

В  данной  работе  разрабатывается  двухкаскадный  усилитель,  предназначенный  для  усиления  гармонических  сигналов  в  диапазоне  звуковых  частот,  выполняемый  в  виде  гибридной  интегральной  микросхемы  (ГИМС).
Гибридные интегральные микросхемы представляют собой микросхемы, которые содержат кроме элементов, неразрывно связанных с подложкой, компоненты, которые могут быть выделены как самостоятельное изделие.  Главные  достоинства  ГИМС  состоят  в  том,  что  они  имеют  малые  размеры  и  массу,  по  сравнению  с  дискретными  элементами потребляют  малую  мощность  от  источника  питания,  обладают  высокой  надежностью,  высоким  быстродействием.  Применение  интегральных  микросхем  вместо  дискретных  элементов в  качестве  элементной  базы  электронных  устройств  дает  значительные  преимущества  по  надежности,  габаритам,  стоимости  и  другим  показателям.  Это  связано  с  тем,  что  при  использовании  ИС  отпадает  необходимость  в  многочисленных  паяных  соединениях – основном  факторе  снижения  надежности,  сокращаются  габариты  и  масса  электронных  устройств,  существенно  снижается  их  стоимость  за  счет  исключения  множества  сборочных  и  монтажных  операций.  
 
Список литературы

1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1986
2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь,1983
3. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники: Учебное пособие. – Новосибирск: СибГУТИ, 2005
4. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1991
5. Справочная книга радиолюбителя конструктора под ред. Чистякова Н.И. кн.2 – М.: Радио и связь, 1993
6. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергия,1976
7. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1980
8. Технический каталог. Полевые транзисторы и интегральные микросхемы. – Электроника, 1975
9. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Под ред. Перельмана Б.Л. – М.: Радио и связь, 1981
10. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей. – М.:Связь,1976
 

© ЗачётНА5.РФ , 2019.
Всегда свежие работы Интернет-магазин готовых студенческих работ зачетНА5.РФ.
Я принимаю Яндекс.Деньги
ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ
Отправь нам своё задание, и мы поищем твою работу в нашей базе готовых работ. А если не найдем, то порекомендуем партнеров, которые качественно смогут выполнить твой заказ.
(doc, docx, rtf, zip, rar, bmp, jpeg) не более 5 Мб