↑ вверх

Помощь дистанционщикам!
ДО СибГУТИ (www.do.sibsutis.ru),
ДО СибАГС (www.sapanet.ru),
ДО НГУЭиУ (sdo.nsuem.ru),
ДО СибУПК (sdo.sibupk.su) и др ВУЗы

Корзина пуста!
Обратная связь




Шифр 68 Другой автор

80000
      
Просмотров: 29
Тип работы: Курсовая
Название предмета: Разработка интегрального устройства
Тема/вариант: Шифр 68 Другой автор
Объем работы: 23
ВУЗ: СибГУТИ
Дата выполнения: 2019-11-14
Размер файла, тип файла: 418.22 Kb, DOCX
Методические указания: Методические указания к курсовой работе (5777 Kb)
Автор: Игнатов А.Н.
Год издания: 2006

Содержание                                         
Техническое задание    3
Введение    4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства    5
2. Расчет элементов принципиальной схемы    8
2.1 Расчет выходного каскада VT2    8
2.2 Расчет каскада VT1    11
3. Разработка интегральной микросхемы    14
3.1 Расчет амплитудно-частотной характеристики    14
3.2 Выбор пленочных элементов    16
3.3 Выбор навесных элементов    18
3.4 Составление топологии    19
Заключение    22
Список литературы    23

Техническое задание
1. Напряжение питания UПИТ = +12 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению КU = 12.
3. Входное сопротивление RВХ = 3,3 МОм.
4. Сопротивление нагрузки RН = 10 кОм. 
5. Номинальное напряжение UНОМ = 2 В.
6. Нижняя рабочая частота FН = 20 Гц.
7. Верхняя рабочая частота FВ = 20 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте МН = 1 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте МВ = 1 дБ.
10. Тип входа – несимметричный
11. Тип выхода – симметричный

Введение

В  данной  работе  разрабатывается  двухкаскадный  усилитель,  предназначенный  для  усиления  гармонических  сигналов  в  диапазоне  звуковых  частот,  выполняемых  в  виде  гибридной  интегральной  микросхемы  (ГИМС).
Гибридная интегральная схема (ГИС) – это микросхема, которая представляет собой комбинацию пленочных пассивных элементов и дискретных элементов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Дискретные элементы, входящие в состав ГИС, называют навесными, подчеркивая их особенность от основного технологического цикла получения пленочной схемы. Помимо диодов и транзисторов, навесными элементами могут быть и полупроводниковые ИС, т. е. компоненты повышенной функциональной сложности.

Список литературы

1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1986
2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь,1983
3. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники: Учебное пособие. – Новосибирск: СибГУТИ, 2005
4. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1991
5. Справочная книга радиолюбителя конструктора под ред. Чистякова Н.И. кн.2 – М.: Радио и связь, 1993
6. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергия,1976
7. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1980
8. Технический каталог. Полевые транзисторы и интегральные микросхемы. – Электроника, 1975
9. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Под ред. Перельмана Б.Л. – М.: Радио и связь, 1981
10. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей. – М.:Связь,1976
 

© ЗачётНА5.РФ , 2019.
Всегда свежие работы Интернет-магазин готовых студенческих работ зачетНА5.РФ.
Я принимаю Яндекс.Деньги
ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ
Отправь нам своё задание, и мы поищем твою работу в нашей базе готовых работ. А если не найдем, то порекомендуем партнеров, которые качественно смогут выполнить твой заказ.
(doc, docx, rtf, zip, rar, bmp, jpeg) не более 5 Мб