Вариант 02 |
350,00 ₽
Просмотров: 196
|
Тип работы: | Лабораторная работа |
Название предмета: | Физика |
Тема/вариант: | Вариант 02 |
Объем работы: | 8 |
ВУЗ: | СибГУТИ |
Дата выполнения: | 2020-04-07 |
Размер файла, тип файла: | 306 Kb, DOC |
Прикрепленные файлы: |
Курс 129 (2892 Kb)
|
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В данной задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
4. Задание
Для варианта 2 сила тока I = 3,8 мА.
1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости 1nσ от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины 1nσ и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы:
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости 1nσ от 1 / T .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Сообщить другу