↑ вверх

Помощь дистанционщикам!
ДО СибГУТИ (www.do.sibsutis.ru),
ДО СибАГС (www.sapanet.ru),
ДО НГУЭиУ (sdo.nsuem.ru),
ДО СибУПК (sdo.sibupk.su) и др ВУЗы

Этот сайт продаётся. По всем вопросам обращаться по +7 913 923-45-34 (Денис)
Корзина пуста!
Обратная связь




Вариант 05 ргр (1 задание)

50000
      
Просмотров: 684
Тип работы: Контрольная
Название предмета: Основы схемотехники
Тема/вариант: Вариант 05 ргр (1 задание)
Объем работы: 11
ВУЗ: СибГУТИ
Дата выполнения: 2013-02-14
Размер файла, тип файла: 195 Kb, DOC
Прикрепленные файлы: Методические указания и задание на контрольную работу по курсу "ОСНОВЫ СХЕМОТЕХНИКИ" Для студентов дневного, заочного, ускоренного и дистанц (11172 Kb)

Контрольная работа по
«Основам схемотехники» вариант 05
Задача № 1
Начертить принципиальную схему однотактного резисторного каскада предварительного усиления на БТ, включенном по схеме с ОЭ с эмиттерной стабилизацией точки покоя. Рассчитать параметры элементов схемы, режим работы каскада по постоянному току, коэффициент усиления в области средних частот, входные параметры каскада и амплитуду входного сигнала.
Исходные данные  для варианта 0 приводим из таблиц 1 и 2:
1.    Марка транзистора: КТ352 А
2.    Амплитуда сигнала на нагрузке:  Umн = 1,3 В
3.    Относительный коэффициент усиления на верхней рабочей
      частоте fв:  Yв =0,9 раз
4.    Относительный коэффициент усиления на нижней рабочей
      частоте fн:  Yн = 0,7 раз
5.    Емкость нагрузки: Сн = 25,0 пФ
6.    Сопротивление нагрузки:  Rн =  170 кОм
7.    Верхняя рабочая частота: fв = 2,5 МГц
8.    Нижняя рабочая частота:  fн = 70 Гц
9.    Внутреннее сопротивление источника сигнала: Rист = 50 Ом.
Параметры транзистора КТ352 А:
1.    Коэффициент усиления  по току:  h21ЭМИН  = 25 ,  h21Эмах = 120;
2.    Сопротивление базового слоя:  rББ’ = 70 Ом;
3.    Напряжение на коллекторе:  uК.МАКС = 15 В;
4.    Мощность, рассеиваемая на коллекторе:  РК.МАКС = 200 мВт;
5.    Частота единичного усиления:  fT = 450 МГц;
6.    Ёмкость коллекторного перехода: CК = 15 пФ;
7.    Обратный ток коллекторного перехода: Iкбо = 3 мкА;
8.    Структура транзистора:  p-n-p.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Травин Г.А. Методические указания по изучению дисциплины «Основы схемотехники» и выполнения заданий по ней на контрольные и курсовые работы, Новосибирск, СибГУТИ, 2003 г.
2. Травин Г.А. Основы схемотехники устройств радиосвязи, радиовещания и телевидения. Ч.1.Учебное пособие для вузов и факультетов связи. Новосибирск, СибГУТИ, 2001. – 196с.
3. Травин Г.А. Основы схемотехники устройств радиосвязи, радиовещания и телевидения. Ч.2.Учебное пособие для радиотехнических специальностей вузов. Новосибирск, СибГУТИ, 2002. – 354с.
 

Работа выполнена в doc расширении
Условия работы для сайта зачетна5.рф взято из работы.

Методические указания и задание на контрольную работу по курсу "ОСНОВЫ СХЕМОТЕХНИКИ" Для студентов дневного, заочного, ускоренного и
дистанционного обучения
урс “Основы схемотехники” предназначен для изучения принципов построения аналоговых узлов и устройств, применяемых в системах телекоммуникаций. Под термином "схемотехника" понимается, в первую очередь, умение составлять, анализировать, и рассчитывать принципиальные схемы основных функциональных узлов электронной аппаратуры.
Не смотря на бурное развитие и очевидные преимущества цифровой, микропроцессорной техники и методов цифровой обработки сигналов, аналоговая схемотехника продолжает применяться и развиваться. Более того, знание аналоговой электроники приобретает все большее значение.

ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ
Отправь нам своё задание, и мы поищем твою работу в нашей базе готовых работ. А если не найдем, то порекомендуем партнеров, которые качественно смогут выполнить твой заказ.
(doc, docx, rtf, zip, rar, bmp, jpeg) не более 5 Мб