КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА по

«ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ» вариант 17

Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.

Для этого:

1) построить линию нагрузки;

2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;

3) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току K_I , напряжению K_U и мощности K_P и входное сопротивление усилителя R_ВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P_~, мощность,  рассеиваемую в коллекторе P_K, потребляемую мощность Р_ПОТР и коэффициент полезного действия h.

Вариант задания для последней цифры студенческого билета.

Таблица П.А.1

Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.

Задача 3:  Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты½Н₂₁½/ h₂₁=F(f) для различных схем включения транзисторов.

Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.

Вариант задания по предпоследней цифры студенческого билета.

Таблица П.А.1

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. В. Л. Савиных. Физические основы электроники/ Методические указания и контрольные задания. Новосибирск, СибГУТИ, 2004 г.

2. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н.Д. - М.: Радио и связь, 1998.- 560 с.