Вариант 10 |
700,00 ₽
Просмотров: 861
|
Тип работы: | Контрольная |
Название предмета: | Оптоэлектроника и нанофотоника |
Тема/вариант: | Шифр 10 Вариант 10 |
Объем работы: | 15 |
ВУЗ: | СибГУТИ |
Дата выполнения: | 2014-05-04 |
Размер файла, тип файла: | 1420.5 Kb, DOC |
Прикрепленные файлы: |
Контрольная работа по курсу «Оптоэлектроника и нанофотоника» (37 Kb)
|
Оптоэлектроника и нанофотоника» вариант 10
Задача №1
Исходные данные
1.1. Схема включения СИД в динамическом режиме:
Рисунок 1.1 - Схема включения СИД в динамическом режиме
1.2. Закон изменения силы света излучения СИД: L = L0 + Lm cos t.
1.3. Падение напряжения на светодиоде определяется из таблицы 2 приложения 1 согласно выбранному светодиоду.
1.4. Параметр h21 транзистора принять равным: h21 = 55+5N
где N — последняя цифра номера зачётки
1.5. Величины L0, Lm, Е и цвет излучения СИД выбираются из таблицы 1 приложения 1 в зависимости от номера варианта, (по последней цифре зачетки).
Задание:
3.1 Обосновать выбор VD1.
3.2 Рассчитать элементы схемы R1, R2, R3, C1.
3.3 Рассчитать параметры входного воздействия Uвх.
Таблица 1
№ вариант |
L0, мКд |
L m, мКд |
Рад / С |
Е, В |
Цвет |
10* |
0,10 |
0,05 |
6,280*107 |
4 |
красный |
10*- в таблице 1 методички не указан вариант «0», выбран «1».
Таблица 2 - Параметры светоизлучающих диодов.
Тип |
Цвет свечения |
Сила света, мкд при I=10 мА |
lmax, мкм |
Uобр max, B |
Uпр B |
Iпр max, мА |
АЛ307А |
красный |
0,15 |
0,666 |
2 |
1,5 |
20 |
Задача 2
Изобразить конструкции СИД и полупроводникового лазера. Изобразить диаграмму направленности СИД и лазера, определить угол излучения СИД и лазера. Объяснить, почему углы излучения СИД и лазера существенно различаются. Выбрать полупроводниковый материал (указать ширину запрещенной зоны материала) необходимый для разработки лазера с заданной длиной волны излучения:
λ=100*N [нм]
где N — последняя цифра номера зачётки (для последней цифры «0» принять N = 10).
Оценить в каком диапазоне работает лазер (величину ширины запрещенной зоны для материалов можно уточнить в книге А.Н. Игнатова «Основы оптоэлектроники», стр. 53, таблица 2.1).
Задача №3
Изобразить структуру полупроводникового элемента (в случае вариантов 5, 6 — структуру фотоприёмника). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы.
Таблица 4 – Варианты и типы фотоприемников
Вариант |
Тип фотоприемника (ФП) |
0 |
Фотодиод на основе p-n перехода |
Список литературы
1. Игнатов А. Н. «Основы оптоэлектроники. Ч 1. Излучающие и фотоприёмные приборы». Новосибирск. 1988.
и две ссылки
Сообщить другу