↑ вверх

Помощь дистанционщикам!
ДО СибГУТИ (www.do.sibsutis.ru),
ДО СибАГС (www.sapanet.ru),
ДО НГУЭиУ (sdo.nsuem.ru),
ДО СибУПК (sdo.sibupk.su) и др ВУЗы

Этот сайт продаётся. По всем вопросам обращаться по +7 913 923-45-34 (Денис)
Корзина пуста!
Обратная связь




Вариант 5

70000
      
Просмотров: 1072
Тип работы: Контрольная
Название предмета: Оптоэлектроника и нанофотоника
Тема/вариант: Шифр 15 Вариант 05
Объем работы: 15
ВУЗ: СибГУТИ
Дата выполнения: 2014-05-04
Размер файла, тип файла: 408.5 Kb, DOC
Прикрепленные файлы: Контрольная работа по курсу «Оптоэлектроника и нанофотоника» (37 Kb)

«Оптоэлектроника и нанофотоника» вариант 15

Задача №1

Исходные данные

1.1. Схема включения СИД в динамическом режиме:

Рисунок 1.1 - Схема включения СИД в динамическом режиме

 

1.2. Закон изменения силы света излучения СИД: L = L0 + Lm cos  t.

1.3. Падение напряжения на светодиоде определяется из таблицы 2  приложения 1 согласно выбранному светодиоду.

1.4. Параметр h21 транзистора принять равным: h21 = 55+5N

где N — последняя цифра номера зачётки

1.5. Величины L0, Lm, Е и цвет излучения СИД выбираются из таблицы 1 приложения 1 в зависимости от номера варианта, (по последней цифре зачетки).

 

Задание

3.1 Обосновать выбор VD1.

3.2 Рассчитать элементы схемы R1, R2, R3, C1.

3.3 Рассчитать параметры входного воздействия Uвх.

 

Таблица 1

№ вариант

L0, мКд

L m, мКд

Рад / С

Е, В

Цвет

5

0,3

0,01

6,28*108

12

зелёный

 

Таблица 2 - Параметры светоизлучающих диодов.

Тип

Цвет свечения

Сила света, мкд  при

I=10 мА

lmax,

мкм

Uобр max,

B

Uпр

B

Iпр max,

мА

АЛ307Д

желтый

0,40

0,560; 0,700

2

1,85

22

 

Задача 2
Изобразить конструкции СИД и полупроводникового лазера. Изобразить диаграмму направленности СИД и лазера, определить угол излучения СИД и лазера. Объяснить, почему углы излучения СИД и лазера существенно различаются. Выбрать полупроводниковый материал (указать ширину запрещенной зоны материала) необходимый для разработки лазера с заданной  длиной волны излучения:

λ=100*N [нм]

где N — последняя цифра номера зачётки (для последней цифры «0» принять N = 10).

Оценить в каком диапазоне работает лазер (величину ширины запрещенной зоны для материалов можно уточнить в книге А.Н. Игнатова «Основы оптоэлектроники», стр. 53, таблица 2.1).

Задача №3 

Изобразить структуру полупроводникового элемента (в случае вариантов 5, 6 — структуру фотоприёмника). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы.

Таблица 2 – Варианты и типы фотоприемников

Вариант

Тип фотоприемника (ФП)

5

Фотоприёмник фотодиод – транзистор

 

Список литературы

 

1.    Игнатов А. Н. «Основы оптоэлектроники. Ч 1. Излучающие и фотоприёмные приборы». Новосибирск. 1988.

и две ссылки


 

 

ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ
Отправь нам своё задание, и мы поищем твою работу в нашей базе готовых работ. А если не найдем, то порекомендуем партнеров, которые качественно смогут выполнить твой заказ.
(doc, docx, rtf, zip, rar, bmp, jpeg) не более 5 Мб