Вариант 8 |
700,00 ₽
Просмотров: 985
|
Тип работы: | Контрольная |
Название предмета: | Оптоэлектроника и нанофотоника |
Тема/вариант: | Вариант 8 |
Объем работы: | 14 |
ВУЗ: | СибГУТИ |
Дата выполнения: | 2015-04-03 |
Размер файла, тип файла: | 406 Kb, DOC |
Прикрепленные файлы: |
МУ оптоэлектроника и нанофатоника (37 Kb)
Год издания: 2013 |
Задача 1
Исходные данные
1.1. Схема включения СИД в динамическом режиме:
Рисунок 1 - Схема включения СИД в динамическом режиме
1.2. Закон изменения силы света излучения СИД: L = L0 + Lm cos w t.
1.3. Падение напряжения на светодиоде определяется из таблицы 2 приложения 1 согласно выбранному светодиоду
1.4. Параметр h21 транзистора принять равным: h21 = 55+5N
где N — последняя цифра номера зачётки
1.5. Величины L0, Lm, w, Е и цвет излучения СИД выбираются из таблицы 1 приложения 1 в зависимости от номера варианта, (по последней цифре зачетки).
Задание
3.1 Обосновать выбор VD1.
3.2 Рассчитать элементы схемы R1, R2, R3, C1.
3.3 Рассчитать параметры входного воздействия Uвх.
Таблица 1
№ вариант |
L0, мКд |
L m, мКд |
w, Рад / С |
Е, В |
Цвет |
1 |
0,10 |
0,05 |
6,280*107 |
4 |
красный |
2 |
0,15 |
0,04 |
1,256*108 |
6 |
зеленый |
3 |
0,20 |
0,03 |
2,512*108 |
8 |
желтый |
4 |
0,25 |
0,02 |
6,280*108 |
10 |
красный |
5 |
0,30 |
0,01 |
6,280*107 |
12 |
зеленый |
6 |
0,10 |
0,05 |
1,256*108 |
4 |
желтый |
7 |
0,15 |
0,04 |
2,512*108 |
6 |
красный |
8 |
0,20 |
0,03 |
6,280*108 |
8 |
зеленый |
9 |
0,25 |
0,02 |
6,280*107 |
10 |
желтый |
Таблица 2 - Параметры светоизлучающих диодов.
Тип |
Цвет свечения |
Сила света, мкд при I=10 мА |
lmax, мкм |
Uобр max, B |
Uпр B |
Iпр max, мА |
АЛ307А АЛ307Б АЛ307В АЛ307Г АЛ307Д АЛ307Е АЛ307И АЛ307Л |
красный красный зеленый зеленый желтый желтый оранжевый оранжевый |
0,15 0,90 0,40 1,50 0,40 1,50 0,40 1,50 |
0,666 0,566 0,566 0,560; 0,700 0,560; 0,700 0,560; 0,700 0,560; 0,700 |
2 2 2 2 2 2 2 2 |
1,5 1,6 1,9 1,65 1,85 1,7 1,55 1,75 |
20 20 22 22 22 22 22 22 |
Задача 2
Изобразить конструкции СИД и полупроводникового лазера. Изобразить диаграмму направленности СИД и лазера, определить угол излучения СИД и лазера. Объяснить почему углы излучения СИД и лазера существенно различаются. Выбрать полупроводниковый материал (указать ширину запрещенной зоны материала) необходимый для разработки лазера с заданной длиной волны излучения:
λ=100*N [нм]
где N — последняя цифра номера зачётки (для последней цифры «0» принять N = 10)
Оценить в каком диапазоне работает лазер
(величину ширины запрещенной зоны для материалов можно уточнить в книге А.Н. Игнатова «Основы оптоэлектроники», стр. 53, таблица 2.1)
Задача №3
Изобразить структуру полупроводникового элемента (в случае вариантов 5, 6 — структуру фотоприёмника). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы.
Таблица 3 – Варианты и типы фотоприемников
Вариант |
Тип фотоприемника (ФП) |
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 |
Фотодиод на основе p-n перехода Фотодиод со структурой p-i-n Фотодиод с барьером Шоттки Фотодиод с гетероструктурой Лавинный фотодиод Фотоприёмник фотодиод – транзистор Фотоприёмник фототранзистор - фототранзистор Фототранзистор Фототиристор Фоторезистор |
Сообщить другу