Вариант 8 - Контрольная - Электронная техника

Вариант 8	800,⁰⁰ ₽ Скидка: * Цена указана с учетом скидки Артикул: На складе: Нет в наличии Просмотров: 1100
Тип работы:	Контрольная
Название предмета:	Электронная техника
Тема/вариант:	Вариант 8
Объем работы:	15
ВУЗ:	Колледж связи
Дата выполнения:	2017-01-30
Размер файла, тип файла:	477 Kb, DOC
Прикрепленные файлы:	Методичка (5200 Kb)

Задача 1

1. Выберите выпрямительный диод согласно условию Вашего варианта. Приведите условно-графическое обозначение и типовую вольт-амперную характеристику выбранного диода, укажите область его применения.

2. Выберите диод, выполняющий заданную функцию. Приведите условно-графическое обозначение и типовую характеристику выбранного диода, укажите область его применения.

Данные для выбора диодов приведены в табл.1,2.

Таблица 1

Номер варианта	Условия выбора выпрямительного диода
8	Cредняя мощность, U_ПР.СР.= 1,2 В; U_{ОБР.МАКС}=100 В

Таблица 2

Номер варианта

Функция диода

Дополнительное условие выбора

Для подстройки резонансной частоты колебательного контура

U_{ОБР.МАКС}= 90 В;

Q_В= 500

Задача 2

1. Выберите биполярный транзистор согласно условию Вашего варианта, приведите его марку и расшифруйте её.

2. Приведите заданную схему включения биполярного транзистора, поясните полярность источников питания и особенности схемы.

3. Выберите полевой транзистор согласно условию Вашего варианта, приведите его марку и расшифруйте её.

4. Приведите схему включения полевого транзистора и поясните полярность источников питания.

5. Дайте сравнительную характеристику биполярного и полевого транзисторов.

Данные для выбора транзистора и построения схем приведены в таблицах 3,4.

Таблица 3

Номер варианта

Условие выбора биполярного транзистора

Схема включения и режим работы биполярного транзистора

Большая мощность,

структура р-n-р,

Рк.макс=150Вт; h₂₁_Э= 20…100

С ОЭ,

динамический режим отсечки

Таблица 4

Номер варианта

Условие выбора полевого транзистора

Схема включения и режим работы полевого транзистора

С управляющим p-n-переходом, канал n, Iз.ут=1нА; S=(5—10)мА/В

С общим истоком,

динамический режим

Задача 3

1. Приведите структурную схему усилителя согласно условию Вашего варианта. Укажите назначение каскадов Вашей схемы.

2. Рассчитайте общий коэффициент усиления в дБ.

3. Начертите заданную характеристику усилителя и укажите, какие параметры усилителей можно определить с помощью этой характеристики.

4. Поясните, с какой целью в усилитель вводится обратная связь. Поясните влияние отрицательной обратной связи на качественные показатели усилителя.

Данные для построения схемы и расчёта приведены в таблице 5.

Таблица 5

№ вари-анта

Состав структурной схемы

Значение коэффициентов усиления каскадов

Характе-ристика усилителя

3 КПУ, ПОК, ОК

К_КПУ1= 10; К_КПУ2= 10;

К_КПУ3= 10; К_ПОК= 2; К_ОК=5

АХ

Задача 4

Рассчитайте каскад предварительного усиления на биполярном транзисторе. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером. Подача смещения на базу осуществляется методом фиксированного напряжения, стабилизация режима работы – последовательной обратной связью по току. Схема усилительного каскада приведена на рисунке 4.1. Данные для расчёта приведены в таблице 6.

Таблица 6

№ вари-анта

Тип и структура транзистора

Ек,

Iвх.m.сл,

мА

Fн,

Гц

Fв,

МГц

Со,

пФ

Rн,

кОм

h₂₁_min

h_22max

r_б,

Ом

КТ315В, n-р-n

1,2

0,9

125

Задача 5

1.Приведите структурную схему операционного усилителя и поясните назначение каскадов.

2. Перечислите достоинства операционного усилителя.

3. Выберите операционный усилитель в соответствии с условием Вашего варианта.

4. Приведите схему функционального узла, выполняющего заданную функцию, укажите назначение элементов схемы.

5. Рассчитайте элементы приведённой схемы и напряжение выходного сигнала.

6. Данные для выбора операционного усилителя, схемы функционального узла и расчёта элементов приведены в таблице 7.

Таблица 7

№ вари-анта

Условие выбора операционного усилителя

Назначение функционального узла

Данные для расчёта элементов схемы

Uип.ном=2х15В;

Rвх=10⁴ МГц

Ограничитель уровня

U_ОГР = 15 В;

R_ИСТ = 2,0 кОм;