Шифр 23 (МУ-1998г) |
750,00 ₽
Просмотров: 402
|
Тип работы: | Контрольная |
Название предмета: | Теория электрической связи (ТЭС) |
Тема/вариант: | Шифр 23 (МУ-1998г) |
Объем работы: | 8 |
ВУЗ: | СибГУТИ |
Дата выполнения: | 2017-03-23 |
Размер файла, тип файла: | 282.96 Kb, RAR |
Прикрепленные файлы: |
Методические указания Задание на контрольную работу (118 Kb)
Автор: Г.А. Чернецкий Год издания: 1998 |
ТЕОРИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
ВАРИАНТ 23
Стационарный случайный процесс x(t) имеет одномерную функцию плотности (ФПВ) мгновенных значений w(x), график и параметры которой приведены в таблице 1.
Требуется:
- Определить параметр h ФПВ.
- Построить ФПВ w(x) и функцию вероятностей (ФРВ) F(x) случайного процесса.
- Определить первый m1 (математическое ожидание) и второй m2 начальные моменты, а также дисперсию D(x) случайного процесса.
Дано: a = -2; b = 3; c = 0; d = 1; e = 0,3.
Вид заданной функции плотности вероятности (ФПВ):
ЗАДАЧА 2
Энергетический спектр гауссовского стационарного случайного процесса x(t) равен G(w). Среднее значение случайного процесса равно mx = m1 = M(x(t)).
Требуется:
1. Определить корреляционную функцию B(t) случайного процесса.
2. Рассчитать величины эффективной ширины спектра и интервала корреляции рассматриваемого процесса.
3. Изобразить графики G(w) и B(t) с указанием масштаба по осям и покажите на них эффективную ширину спектра и интервал корреляции.
4. Запишите выражение для функции плотности вероятности w(x) гауссовского стационарного случайного процесса и постройте ее график.
5. Определите вероятность того, что мгновенные значения случайного процесса будут меньше a – p(x < a); будут больше b – p(x > b); будут находиться внутри интервала [c,d] – p(c < x < d).
Исходные данные к задаче представлены в таблицах 2 и 3.
Дано: G0 = 2∙10-3 В2 с/рад;
a = 500 рад/с; mx = 3; a = 0; b = 5,5; c = 1 d = 4.
ЗАДАЧА 3
Дано: Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением:
где iк - ток коллектора транзистора,
S = 110 мА/В - крутизна характеристики,
uб - напряжение на базе транзистора,
uо = 0,65 В - напряжение отсечки,
um = 0,35 В - амплитуда входного высокочастотного сигнала.
Требуется:
1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции.
2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов.
3. Дать понятие статической модуляционной характеристики (СМХ). Рассчитать и построить (СМХ) при заданных S, u0 и значении смплитуды входношо высокочастотного напряжения Um.
4. C помощью статической модуляционной характеристики определить оптимальное смещение E0 и допустимую величину амплитуды UW модулирующего напряжения UW×cosWt, соответствующие неискаженной модуляции.
5. Рассчитать коэффициент модуляции mАМ для выбранного режима. Построить спектр и временную диаграмму АМ–сигнала.
ЗАДАЧА 4
Дано: Вольт-амперная характеристика (ВАХ) амплитудного детектора аппроксимирована выражением:
Напряжение АМ колебания на входе детектора:
UАМ(t) = Um [1 + mАМ cos(2pFt)]cos(2pf0t)
где S = 40 мА/В; mАМ = 0,9; kд = 0,85;
Um = 1,6 B; f0 = 450 кГц; F = 4,0 кГц.
Требуется:
1. Пояснить назначение детектирования модулированных колебаний. Изобразить схему диодного детектора и описать принцип ее работы.
2. Рассчитать необходимое значение сопротивления нагрузки детектора RН для получения заданного значения коэффициента передачи детектора kД.
3. Выбрать значение емкости нагрузки детектора CН при заданных f0 и F.
4. Рассчитать и построить спектры напряжений на входе и выходе детектора. Значения S, mAM и kД даны в таблице 5, а значения Um, F и f0 – в таблице 6.
Сообщить другу