↑ вверх

Помощь дистанционщикам!
ДО СибГУТИ (www.do.sibsutis.ru),
ДО СибАГС (www.sapanet.ru),
ДО НГУЭиУ (sdo.nsuem.ru),
ДО СибУПК (sdo.sibupk.su) и др ВУЗы

Этот сайт продаётся. По всем вопросам обращаться по +7 913 923-45-34 (Денис)
Корзина пуста!
Обратная связь




Вариант 01

60000
      
Просмотров: 401
Тип работы: Контрольная
Название предмета: Физические основы электроники (ФОЭ)
Тема/вариант: Вариант 01
Объем работы: 8
ВУЗ: СибГУТИ
Дата выполнения: 2017-10-29
Размер файла, тип файла: 276 Kb, DOC
Прикрепленные файлы: Методические указания к выполнению домашнего задания на тему "Параметры полевого и биполярного транзисторов" (17155 Kb)
Автор: Савиных В.Л.
Год издания: 2007

Задача 1: По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m  полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1.

Таблица П.1.1

№ вар.

Тип БТ   

UСИ0, В

UЗИ0  В,

01

КП302А

14

- 8

Задача 2:

Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.

Таблица П.1.2

№ вар.

Тип БТ   

UКЭ, В

01

КТ601А

30

 

 

ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ
Отправь нам своё задание, и мы поищем твою работу в нашей базе готовых работ. А если не найдем, то порекомендуем партнеров, которые качественно смогут выполнить твой заказ.
(doc, docx, rtf, zip, rar, bmp, jpeg) не более 5 Мб