Шифр 05 Другой автор |
800,00 ₽
Просмотров: 406
|
Тип работы: | Курсовая |
Название предмета: | Разработка интегрального устройства |
Тема/вариант: | Шифр 05 Другой автор |
Объем работы: | 23 |
ВУЗ: | СибГУТИ |
Дата выполнения: | 2019-11-14 |
Размер файла, тип файла: | 402.34 Kb, DOCX |
Прикрепленные файлы: |
Методические указания к курсовой работе (5777 Kb)
Автор: Игнатов А.Н. Год издания: 2006 |
Содержание
Техническое задание
Введение
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства
2. Расчет элементов принципиальной схемы
2.1 Расчет выходного каскада VT2
2.2 Расчет каскада VT1
3. Разработка интегральной микросхемы
3.1 Расчет амплитудно-частотной характеристики
3.2 Выбор пленочных элементов
3.3 Выбор навесных элементов
3.4 Составление топологии
Заключение
Список литературы
Техническое задание
1. Напряжение питания UПИТ = -15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению КU = 5.
3. Входное сопротивление RВХ = 8,2 МОм.
4. Сопротивление нагрузки RН = 0,6 кОм.
5. Номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота FН = 50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота FВ = 10 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте МН = 2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте МВ = 2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный
11. Тип выхода – несимметричный
Введение
Микроэлектроника – это одно из направлений электроники, которое призвано создать миниатюрную высоконадёжную аппаратуру с малой потребляемой мощностью, низкой стоимостью и прочим.
Интегральной микросхемой, или сокращённо ИМС, называют монолитное изделие, предназначенное для исполнения функций заданного каскада или целой системы, компоненты которого соединены между собой определённым образом, и которые нельзя отделить один от другого демонтажными операциями. Различают аналоговые микросхемы, которые непрерывно отслеживают и воздействуют на сигнал, и цифровые микросхемы, которые дискретно преобразуют и обрабатывают информацию. По методу получения различают три вида ИМС: плёночные, полупроводниковые и гибридные.
В плёночных ИМС детали и соединения осуществляют путём получения плёнок малой толщины с различными свойствами, выполненных на подложке из не проводящего электрический ток материала. Плёночные микросхемы разделяют на две группы: на тонкоплёночные с толщиной плёнки менее 1 мкм и толстоплёночные с большей толщиной, часто составляющей порядка 20 мкм. Различие тонкоплёночных и толстоплёночных ИМС заключено не только в количественной толщине плёнок, но прежде всего в технологии их нанесения.
Список литературы
1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1986
2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь,1983
3. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники: Учебное пособие. – Новосибирск: СибГУТИ, 2005
4. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1991
5. Справочная книга радиолюбителя конструктора под ред. Чистякова Н.И. кн.2 – М.: Радио и связь, 1993
6. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергия,1976
7. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1980
8. Технический каталог. Полевые транзисторы и интегральные микросхемы. – Электроника, 1975
9. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Под ред. Перельмана Б.Л. – М.: Радио и связь, 1981
10. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей. – М.:Связь,1976
Сообщить другу