↑ вверх

Помощь дистанционщикам!
ДО СибГУТИ (www.do.sibsutis.ru),
ДО СибАГС (www.sapanet.ru),
ДО НГУЭиУ (sdo.nsuem.ru),
ДО СибУПК (sdo.sibupk.su) и др ВУЗы

Этот сайт продаётся. По всем вопросам обращаться по +7 913 923-45-34 (Денис)
Корзина пуста!
Обратная связь




Шифр 28 Другой автор

80000
      
Просмотров: 270
Тип работы: Курсовая
Название предмета: Разработка интегрального устройства
Тема/вариант: Шифр 28 Другой автор
Объем работы: 23
ВУЗ: СибГУТИ
Дата выполнения: 2019-11-14
Размер файла, тип файла: 413.83 Kb, DOCX
Прикрепленные файлы: Методические указания к курсовой работе (5777 Kb)
Автор: Игнатов А.Н.
Год издания: 2006

Содержание                                               
Техническое задание    3
Введение    4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства    5
2. Расчет элементов принципиальной схемы    8
2.1 Расчет выходного каскада VT2    8
2.2 Расчет каскада VT1    11
3. Разработка интегральной микросхемы    14
3.1 Расчет амплитудно-частотной характеристики    14
3.2 Выбор пленочных элементов    16
3.3 Выбор навесных элементов    18
3.4 Составление топологии    19
Заключение    22
Список литературы    23

Техническое задание
1. Напряжение питания UПИТ = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению КU = 9.
3. Входное сопротивление RВХ = 1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки RН = 10 кОм. 
5. Номинальное напряжение UНОМ = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота FН = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота FВ = 3,4 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте МН = 3 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте МВ = 2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный
11. Тип выхода – симметричный

Введение
По заданию, разрабатываемая ГИМС (гибридная интегральная микросхема) является двухкаскадным усилителем звуковой частоты. Устройство должно обеспечивать полосу пропускания от 300 Гц до 3400 Гц. Первый каскад выполнен на полевом транзисторе, что позволяет добиться высокого входного сопротивления и, следовательно, осуществлять работу с высокомными источниками входного сигнала. Может применяться как предварительный усилитель.
Применение микросхем облегчает расчет и проектирование функциональных узлов и блоков радиоэлектронной аппаратуры, ускоряет процесс создания принципиально новых аппаратов и внедрения их в серийное производство. Широкое использование микросхем позволяет повысить технические характеристики и надежность аппаратуры. Отечественной электронной промышленностью освоен выпуск широкой номенклатуры микросхем, ежегодно создаются десятки и сотни тысяч новых приборов для перспективных радиоэлектронных средств.

Список литературы

1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1986
2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь,1983
3. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники: Учебное пособие. – Новосибирск: СибГУТИ, 2005
4. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1991
5. Справочная книга радиолюбителя конструктора под ред. Чистякова Н.И. кн.2 – М.: Радио и связь, 1993
6. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергия,1976
7. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1980
8. Технический каталог. Полевые транзисторы и интегральные микросхемы. – Электроника, 1975
9. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Под ред. Перельмана Б.Л. – М.: Радио и связь, 1981
10. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей. – М.:Связь,1976
 

ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ
Отправь нам своё задание, и мы поищем твою работу в нашей базе готовых работ. А если не найдем, то порекомендуем партнеров, которые качественно смогут выполнить твой заказ.
(doc, docx, rtf, zip, rar, bmp, jpeg) не более 5 Мб