Содержание                                               
Техническое задание   
Введение   
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства   
2. Расчет элементов принципиальной схемы   
2.1 Расчет выходного каскада VT2   
2.2 Расчет каскада VT1   
3. Разработка интегральной микросхемы   
3.1 Расчет амплитудно-частотной характеристики   
3.2 Выбор пленочных элементов   
3.3 Выбор навесных элементов   
3.4 Составление топологии   
Заключение   
Список литературы
   
Техническое задание
1. Напряжение питания UПИТ = -15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению КU = 7.
3. Входное сопротивление RВХ = 0,47 МОм.
4. Сопротивление нагрузки RН = 2 кОм. 
5. Номинальное напряжение UНОМ = 2 В.
6. Нижняя рабочая частота FН = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота FВ = 3,4 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте МН = 2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте МВ = 2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный
11.  Тип выхода – симметричный

Введение
Среди устройств радиоэлектроники, усилители электрических сигналов получили самое широкое распространение. Их роль и значение трудно переоценить. По существу, они являются основой построения всей аппаратуры радиосвязи, радиовещания и телевидения; усиление электрических сигналов является фундаментальным свойством всей аппаратуры обработки сигналов. То же самое можно сказать и об измерительной технике, вычислительной технике  и многих других областях современной науки и техники.

Заданное разрабатываемое устройство является предварительным (входным) усилителем низкой частоты (УНЧ). Сравнительно невысокое качество параметров такого УНЧ (что определено его узкой полосой рабочих частот) предполагает использование разрабатываемого устройства в области телефонии, дешевых (невысокого качества) звукозаписывающих и звуковоспроизводящих устройств, диктофонах, слуховых аппаратах. Для достижения миниатюризации электронного устройства (что особенно важно в переносной радиоаппаратуре) и создания недорогого серийного производства наиболее целесообразно выполнять такую разработку в виде гибридной ИМС.

Список литературы
1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1986
2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь,1983
3. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники: Учебное пособие. – Новосибирск: СибГУТИ, 2005
4. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1991
5. Справочная книга радиолюбителя конструктора под ред. Чистякова Н.И. кн.2 – М.: Радио и связь, 1993
6. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергия,1976
7. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1980
8. Технический каталог. Полевые транзисторы и интегральные микросхемы. – Электроника, 1975
9. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Под ред. Перельмана Б.Л. – М.: Радио и связь, 1981
10. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей. – М.:Связь,1976