Вариант 18 |
450,00 ₽
Просмотров: 188
|
Тип работы: | Лабораторная работа |
Название предмета: | Электротехника и электроника |
Тема/вариант: | Вариант 18 |
Объем работы: | 7 |
ВУЗ: | СибГУТИ |
Дата выполнения: | 2020-05-20 |
Размер файла, тип файла: | 395.5 Kb, DOC |
Прикрепленные файлы: |
elkurs-16938.zip (2190 Kb)
|
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
3. Литература
1. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, - СибГУТИ, Новосибирск, 2005, стр. 119-121.
2. Савиных В.Л. Физические основы электроники. – СибГУТИ, Новосибирск, 2002. Электронная версия.
3. Справочники по полупроводниковым диодам.
4. Порядок проведения лабораторной работы
4.1. Снятие вольтамперной характеристики при прямом включении германиевого диода марки Д7Ж (рисунок 1.1). Результаты сведены в таблицу 1.1а.
Таблица 1.1а - Диод D7Ж
Сообщить другу