Задание 1
К полупроводниковому прибору с нелинейной вольт-амперной характеристикой прикладывается бигармоническое напряжение
 .
Вольт-амперная характеристика прибора аппроксимируется степенным полиномом: ,
где ic – протекающий через полупроводниковый прибор ток;
u – воздействующее на полупроводниковый прибор напряжение.
Рассчитать спектр тока и построить спектральную диаграмму для исходных данных таблицы 1.
Таблица 1 – Исходные данные

Задание 2
Ток в полупроводниковом диоде i связан с приложенным напряжением U кусочно-линейной зависимостью:
,
где    S – крутизна,
U₀ – напряжение отсечки.
Найдите постоянную составляющую тока I₀, амплитуду первой, второй и третьей гармоник протекающего тока (I_m1, I_m2, I_m3) для входного воздействия в виде напряжения Uвх(t)=E+U_mcosω₀t.
Постройте спектральную диаграмму протекающего тока и укажите, какие спектральные составляющие следует выделять параллельным колебательным контуром для получения умножения частоты в два и три раза.
Таблица 2 – Исходные данные

Задание 3
Вольт - амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением

где  i_k - ток коллектора транзистора;
        u_б - напряжение на базе транзистора;
        S  - крутизна вольт-амперной характеристики;
        u₀ - напряжение отсечки ВАХ.
Требуется:
1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции.   
2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов.
3. Дать понятие статической модуляционной характеристики (СМХ). Рассчитать и построить (СМХ) при заданных S, u₀ и значении амплитуды входного высокочастотного напряжения Um.
4. С помощью статической модуляционной характеристики определить оптимальное смещение E₀ и допустимую величину амплитуды U_Ω  модулирующего напряжения U_Ω cosΩt , соответствующие неискаженной модуляции.
5. Рассчитать коэффициент модуляции m_АМ для выбранного режима. Построить спектр и временную диаграмму АМ-сигнала.
Исходные данные: S=90 мА/В; u₀=0.55 B; U_m=0.45 B.
Задание 4
Вольт-амперная характеристика диода амплитудного детектора аппроксимирована отрезками прямых
 .
На входе детектора действует амплитудно-модулированное колебание
u_АМ(t)=U_m(1+m_АМcos2πFt)cos2πf₀t
Требуется:
1 Пояснить назначение детектирования модулированных колебаний. Изобразить схему диодного детектора и описать принцип ее работы.
2 Рассчитать необходимое значение сопротивления нагрузки детектора _Rн    для получения заданного значения коэффициента передачи детектора k_д.
3 Выбрать значение емкости нагрузки детектора C_н при заданных f₀ и F.
4 Рассчитать и построить спектры напряжений на входе и выходе детектора.
Исходные данные: S=65мА/в; m_AM=0.6 и k_д=0.8; U_m=1.4 В; F=6 кГц; f₀=400 кГц.