Техническое задание
1. Напряжение питания UПИТ = -12 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению КU = 5.
3. Входное сопротивление RВХ = 4,7 МОм.
4. Сопротивление нагрузки RН = 2 кОм. 
5. Номинальное напряжение UНОМ = 2 В.
6. Нижняя рабочая частота FН = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота FВ = 3,4 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте МН = 2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте МВ = 2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный
11. Тип выхода – несимметричный

Введение
В данной работе разрабатывается двухкаскадный усилитель, предназначенный для усиления гармонических сигналов в диапазоне звуковых частот, выполняемый в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС).
Гибридные интегральные микросхемы представляют собой микросхемы, которые содержат кроме элементов, неразрывно связанных с подложкой, компоненты, которые могут быть выделены как самостоятельное изделие.  Главные достоинства ГИМС состоят в том, что они имеют малые размеры и массу, по сравнению с дискретными элементами потребляют малую мощность от источника питания, обладают высокой надежностью, высоким быстродействием. Применение интегральных микросхем вместо дискретных элементов в качестве элементной базы электронных устройств дает значительные преимущества по надежности, габаритам, стоимости и другим показателям. Это связано с тем, что при использовании ИС отпадает необходимость в многочисленных паяных соединениях – основном факторе снижения надежности, сокращаются габариты и масса электронных устройств, существенно снижается их стоимость за счет исключения множества сборочных и монтажных операций.   
Гибридные микросхемы занимают доминирующее положение в схемах с большими электрическими мощностями, а также в устройствах СВЧ, в которых можно применять как толстопленочную технологию, не требующую жестких допусков и высокой точности нанесения и обработки пленок, так и тонкопленочную технологию для обеспечения нанесения пленочных элементов очень малых размеров.

Список литературы
1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1986
2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь,1983
3. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники: Учебное пособие. – Новосибирск: СибГУТИ, 2005
4. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1991
5. Справочная книга радиолюбителя конструктора под ред. Чистякова Н.И. кн.2 – М.: Радио и связь, 1993
6. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергия,1976
7. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1980
8. Технический каталог. Полевые транзисторы и интегральные микросхемы. – Электроника, 1975
9. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Под ред. Перельмана Б.Л. – М.: Радио и связь, 1981
10. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей. – М.: Связь,1976