Техническое задание
1. Напряжение питания UПИТ = +12 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению КU = 11.
3. Входное сопротивление RВХ = 2,7 МОм.
4. Сопротивление нагрузки RН = 2 кОм. 
5. Номинальное напряжение UНОМ = 2 В.
6. Нижняя рабочая частота FН = 15 Гц.
7. Верхняя рабочая частота FВ = 20 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте МН = 2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте МВ = 2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный
11. Тип выхода – симметричный

Введение
В данной работе разрабатывается двухкаскадный усилитель, предназначенный для усиления гармонических сигналов в диапазоне звуковых частот, выполняемый в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС).
Гибридные интегральные микросхемы представляют собой микросхемы, которые содержат кроме элементов, неразрывно связанных с подложкой, компоненты, которые могут быть выделены как самостоятельное изделие.  Главные достоинства  ГИМС  состоят  в  том,  что  они  имеют  малые  размеры  и  массу,  по  сравнению  с  дискретными  элементами потребляют  малую  мощность  от  источника  питания,  обладают  высокой  надежностью,  высоким  быстродействием.  Применение  интегральных  микросхем  вместо  дискретных  элементов в  качестве  элементной  базы  электронных  устройств  дает  значительные  преимущества  по  надежности,  габаритам,  стоимости  и  другим  показателям.  Это  связано  с  тем,  что  при  использовании  ИС  отпадает  необходимость  в  многочисленных  паяных  соединениях – основном  факторе  снижения  надежности,  сокращаются  габариты  и  масса  электронных  устройств,  существенно  снижается  их  стоимость  за  счет  исключения  множества  сборочных  и  монтажных  операций.   
Гибридные микросхемы занимают доминирующее положение в схемах с большими электрическими мощностями, а также в устройствах СВЧ, в которых можно применять как толстопленочную технологию, не требующую жестких допусков и высокой точности нанесения и обработки пленок, так и тонкопленочную технологию для обеспечения нанесения пленочных элементов очень малых размеров.

Список литературы
1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1986
2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь,1983
3. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники: Учебное пособие. – Новосибирск: СибГУТИ, 2005
4. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1991
5. Справочная книга радиолюбителя конструктора под ред. Чистякова Н.И. кн.2 – М.: Радио и связь, 1993
6. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергия,1976
7. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1980
8. Технический каталог. Полевые транзисторы и интегральные микросхемы. – Электроника, 1975
9. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Под ред. Перельмана Б.Л. – М.: Радио и связь, 1981
10. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей. – М.: Связь,1976