Техническое задание
1. Напряжение питания UПИТ = +9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению КU = 6.
3. Входное сопротивление RВХ = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки RН = 1 кОм. 
5. Номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота FН = 50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота FВ = 10 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте МН = 2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте МВ = 2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный
11. Тип выхода – несимметричный

Введение
Гибридные микросхемы находят широкое применение в современной электронике. Эти микросхемы обладают рядом достоинств, среди которых можно отметить возможность использования разнообразных активных элементов, что позволяет создавать микросхемы с широким диапазоном выполняемых функций. Кроме того, элементы гибридных ИМС обладают высокой температурной и временной стабильностью.
Цель данной курсовой работы:
–  научиться осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов; 
–  научиться производить электрический расчет схем простейших устройств;
–  приобрести навыки в составлении топологии интегральных микросхем.

Список литературы
1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1986
2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь,1983
3. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники: Учебное пособие. – Новосибирск: СибГУТИ, 2005
4. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1991
5. Справочная книга радиолюбителя конструктора под ред. Чистякова Н.И. кн.2 – М.: Радио и связь, 1993
6. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергия,1976
7. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1980
8. Технический каталог. Полевые транзисторы и интегральные микросхемы. – Электроника, 1975
9. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Под ред. Перельмана Б.Л. – М.: Радио и связь, 1981
10. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей. – М.:Связь,1976