↑ вверх

Помощь дистанционщикам!
ДО СибГУТИ (www.do.sibsutis.ru),
ДО СибАГС (www.sapanet.ru),
ДО НГУЭиУ (sdo.nsuem.ru),
ДО СибУПК (sdo.sibupk.su) и др ВУЗы

Этот сайт продаётся. По всем вопросам обращаться по +7 913 923-45-34 (Денис)
Корзина пуста!
Обратная связь




Вариант 04 (4-я задача)

10000
      
Просмотров: 878
Тип работы: Контрольная
Название предмета: Физические основы электроники (ФОЭ)
Тема/вариант: Вариант 04 (4-я задача)
Объем работы: 4
ВУЗ: СибГУТИ
Дата выполнения: 2013-09-01
Размер файла, тип файла: 132 Kb, DOC
Прикрепленные файлы: Методические указания и контрольные задания «Физические основы электроники» (684 Kb)
Автор: В. Л. Савиных
Год издания: 2002

«ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ» вариант 04

 

Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.

Вариант задания по предпоследней цифры студенческого билета.

Таблица П.А.1

№ вар.

Тип БТ   

UСИ0, В

UЗИ0  В,

0

КП903А

18

8

 

 

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

 

1. В. Л. Савиных. Физические основы электроники/ Методические указания и контрольные задания. Новосибирск, СибГУТИ, 2002 г.

 

ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ
Отправь нам своё задание, и мы поищем твою работу в нашей базе готовых работ. А если не найдем, то порекомендуем партнеров, которые качественно смогут выполнить твой заказ.
(doc, docx, rtf, zip, rar, bmp, jpeg) не более 5 Мб