↑ вверх

Помощь дистанционщикам!
ДО СибГУТИ (www.do.sibsutis.ru),
ДО СибАГС (www.sapanet.ru),
ДО НГУЭиУ (sdo.nsuem.ru),
ДО СибУПК (sdo.sibupk.su) и др ВУЗы

Этот сайт продаётся. По всем вопросам обращаться по +7 913 923-45-34 (Денис)
Корзина пуста!
Обратная связь




Задача 3 Вариант 03

15000
      
Просмотров: 648
Тип работы: Контрольная
Название предмета: Физические основы электроники (ФОЭ)
Тема/вариант: Задача 3 Вариант 03
Объем работы: 4
ВУЗ: СибГУТИ
Дата выполнения: 2013-09-22
Размер файла, тип файла: 90 Kb, DOC

Таблица П.А.1

Задача 3:  Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты|Н21|/ h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. В. Л. Савиных. Физические основы электроники/ Методические указания и контрольные задания. Новосибирск, СибГУТИ, 2002 г.
2. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н.Д. - М.: Радио и связь, 1998.- 560 с.
 

ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ
Отправь нам своё задание, и мы поищем твою работу в нашей базе готовых работ. А если не найдем, то порекомендуем партнеров, которые качественно смогут выполнить твой заказ.
(doc, docx, rtf, zip, rar, bmp, jpeg) не более 5 Мб