↑ вверх

Помощь дистанционщикам!
ДО СибГУТИ (www.do.sibsutis.ru),
ДО СибАГС (www.sapanet.ru),
ДО НГУЭиУ (sdo.nsuem.ru),
ДО СибУПК (sdo.sibupk.su) и др ВУЗы

Этот сайт продаётся. По всем вопросам обращаться по +7 913 923-45-34 (Денис)
Корзина пуста!
Обратная связь




Билет 04 без номера

25000
      
Просмотров: 872
Тип работы: Билет
Название предмета: Физические основы электроники (ФОЭ)
Тема/вариант: Билет 00 Вопрос 4(2) 4(3)
Объем работы: 6
ВУЗ: СибГУТИ
Дата выполнения: 2014-05-07
Размер файла, тип файла: 75.5 Kb, DOC

1.         Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП-транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Электронно-дырочный переход. Формирование перехода. ВАХ р-n-перехода.

ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ
Отправь нам своё задание, и мы поищем твою работу в нашей базе готовых работ. А если не найдем, то порекомендуем партнеров, которые качественно смогут выполнить твой заказ.
(doc, docx, rtf, zip, rar, bmp, jpeg) не более 5 Мб