↑ вверх

Помощь дистанционщикам!
ДО СибГУТИ (www.do.sibsutis.ru),
ДО СибАГС (www.sapanet.ru),
ДО НГУЭиУ (sdo.nsuem.ru),
ДО СибУПК (sdo.sibupk.su) и др ВУЗы

Этот сайт продаётся. По всем вопросам обращаться по +7 913 923-45-34 (Денис)
Корзина пуста!
Обратная связь




Вариант 9

70000
      
Просмотров: 943
Тип работы: Контрольная
Название предмета: Оптоэлектроника и нанофотоника
Тема/вариант: Вариант 9
Объем работы: 14
ВУЗ: СибГУТИ
Дата выполнения: 2015-04-03
Размер файла, тип файла: 326.5 Kb, DOC
Прикрепленные файлы: МУ оптоэлектроника и нанофатоника (37 Kb)
Год издания: 2013

Задача 1

Исходные данные

1.1. Схема включения СИД в динамическом режиме:

Рисунок 1 - Схема включения СИД в динамическом режиме

 

1.2. Закон изменения силы света излучения СИД: L = L0 + Lm cos w t.

1.3. Падение напряжения на светодиоде определяется из таблицы 2  приложения 1 согласно выбранному светодиоду

1.4. Параметр h21 транзистора принять равным: h21 = 55+5N

где N — последняя цифра номера зачётки

1.5. Величины L0, Lm, w, Е и цвет излучения СИД выбираются из таблицы 1 приложения 1 в зависимости от номера варианта, (по последней цифре зачетки).

Задание

3.1 Обосновать выбор VD1.

3.2 Рассчитать элементы схемы R1, R2, R3, C1.

3.3 Рассчитать параметры входного воздействия Uвх.

 

Таблица 1

№ вариант

L0, мКд

L m, мКд

w, Рад / С

Е, В

Цвет

1

0,10

0,05

6,280*107

4

красный

2

0,15

0,04

1,256*108

6

зеленый

3

0,20

0,03

2,512*108

8

желтый

4

0,25

0,02

6,280*108

10

красный

5

0,30

0,01

6,280*107

12

зеленый

6

0,10

0,05

1,256*108

4

желтый

7

0,15

0,04

2,512*108

6

красный

8

0,20

0,03

6,280*108

8

зеленый

9

0,25

0,02

6,280*107

10

желтый

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 2 - Параметры светоизлучающих диодов.

Тип

Цвет свечения

Сила света, мкд

при

I=10 мА

lmax,

мкм

Uобр max,

B

Uпр

B

Iпр max,

мА

АЛ307А

АЛ307Б

АЛ307В

АЛ307Г

АЛ307Д

АЛ307Е

АЛ307И

АЛ307Л

красный

красный

зеленый

зеленый

желтый

желтый

оранжевый

оранжевый

0,15

0,90

0,40

1,50

0,40

1,50

0,40

1,50

0,666

0,666

0,566

0,566

0,560; 0,700

0,560; 0,700

0,560; 0,700

0,560; 0,700

2

2

2

2

2

2

2

2

1,5

1,6

1,9

1,65

1,85

1,7

1,55

1,75

20

20

22

22

22

22

22

22

 

 

Задача 2

 

Изобразить конструкции СИД и полупроводникового лазера. Изобразить диаграмму направленности СИД и лазера, определить угол излучения СИД и лазера. Объяснить почему углы излучения СИД и лазера существенно различаются. Выбрать полупроводниковый материал (указать ширину запрещенной зоны материала) необходимый для разработки лазера с заданной  длиной волны излучения:

λ=100*N [нм]

где N — последняя цифра номера зачётки (для последней цифры «0» принять N = 10)

Оценить в каком диапазоне работает лазер

(величину ширины запрещенной зоны для материалов можно уточнить в книге А.Н. Игнатова «Основы оптоэлектроники», стр. 53, таблица 2.1)

 

Задача №3

Изобразить структуру полупроводникового элемента (в случае вариантов 5, 6 — структуру фотоприёмника). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы.

 

Таблица 3 – Варианты и типы фотоприемников

Вариант

Тип фотоприемника (ФП)

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Фотодиод  на основе p-n перехода

Фотодиод со структурой p-i-n

Фотодиод с барьером Шоттки

Фотодиод с гетероструктурой

Лавинный фотодиод

Фотоприёмник фотодиод – транзистор

Фотоприёмник фототранзистор - фототранзистор

Фототранзистор

Фототиристор

Фоторезистор

 

ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ
Отправь нам своё задание, и мы поищем твою работу в нашей базе готовых работ. А если не найдем, то порекомендуем партнеров, которые качественно смогут выполнить твой заказ.
(doc, docx, rtf, zip, rar, bmp, jpeg) не более 5 Мб